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可控硅動(dòng)態(tài)無(wú)功功率補償器有哪些優(yōu)勢?

來(lái)源:希拓電氣(常州)有限公司    日期:2019-11-18    瀏覽量:載入中...

      可控硅動(dòng)態(tài)無(wú)功功率補償器是近年來(lái)研制開(kāi)發(fā)的新型動(dòng)態(tài)無(wú)功補償器,采用可控硅投切電容器組,克服了原有的靜態(tài)補償器的一些技術(shù)缺陷。故對于可控硅動(dòng)態(tài)補償器的技術(shù)優(yōu)勢作以下說(shuō)明:

      1、可控硅無(wú)功功率補償器采用大功率無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)作為電容器組的投切開(kāi)關(guān)。
      2、可控硅觸發(fā)采用光電觸發(fā)技術(shù)??煽毓栌|發(fā)采用光控技術(shù)、實(shí)現一次系統和二次系統隔離,解決了諧波干擾問(wèn)題,保證準確、可靠的觸發(fā)可控硅。
      3、響應時(shí)間小于20ms??煽焖偻度腚娙萜?,從采集補償信號到可控硅觸發(fā)導通一個(gè)周期內完成,即20ms響應,這就適應了快速變化負荷的動(dòng)態(tài)跟蹤補償。
      4、電容器投入實(shí)現過(guò)零投切。
      5、電抗器的設計。諧波的出現導致純補償時(shí)代的結束,要杜絕純補償所引起的諧波放大和惡劣作用,就是配備適當電抗率的電抗器。
      6、合理的電容器匹配??煽毓鑴?dòng)態(tài)無(wú)功功率補償器所采用的電容器是經(jīng)特殊設計的單相電容器,電容器參數的選擇經(jīng)過(guò)精確的計算,要求較高,完全可以保證質(zhì)量和使用壽命,有效避免電容器爆炸,造成總閘跳閘等事故。
      7、對三相不平衡負荷補償的獨立控制技術(shù)。
      8、抑制諧波,保護設備安全運行。
      9、完善的保護措施。過(guò)壓、欠壓、短路、速斷、防雷擊及操作過(guò)電壓等保護,保護措施齊全。
      10、提高功率因數后的經(jīng)濟效益??煽毓鑴?dòng)態(tài)無(wú)功功率補償器可快速跟蹤負荷無(wú)功功率自動(dòng)投切,大大減少功率損耗。


電容補償晶閘管開(kāi)關(guān)

     

      STT標準型晶閘管投切模塊技術(shù)源自德國,我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎上,研制出了擁有自主知識產(chǎn)權的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管,觸發(fā)電路,吸收電路,保護電路,智能型散熱片組成。自主專(zhuān)利技術(shù)保證電壓過(guò)零觸發(fā),電流過(guò)零斷開(kāi),真正實(shí)現投切無(wú)涌流,跟隨速度快,有效補償沖擊性負荷,平均響應時(shí)間小于15ms,很好地取代傳統投切裝置。

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