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具有可控硅投切開(kāi)關(guān)的補償裝置TSC

來(lái)源:希拓電氣(上海)有限公司    日期:2019-04-11    瀏覽量:載入中...

? ? ? ?為了解決電容器組頻繁投切的問(wèn)題,可以采用新型TSC裝置。其單相原理圖如圖1所示。兩個(gè)反并聯(lián)的晶閘管只是將電容器并人電網(wǎng)或從電網(wǎng)中斷開(kāi),串聯(lián)的小電抗器用于抑制電容器投人電網(wǎng)運行時(shí)可能產(chǎn)生的沖擊電流。這種投切裝置是利用了開(kāi)關(guān)器件反應速度快的特點(diǎn),采用過(guò)零觸發(fā)電路,檢測到當施加在SCR兩端的電壓為零時(shí)發(fā)出觸發(fā)信號使其導通。此時(shí)電容器電壓等于電網(wǎng)電壓,無(wú)浪涌電流,解決了接觸器合閘涌流的問(wèn)題。此類(lèi)補償裝置為了保證更好的投切電容器,必須對電容器預先充電,充電結束之后再投人電容器。但TSC對于抑制沖擊負荷引起的電壓閃變,單靠電容器投人電網(wǎng)的電容量的變化進(jìn)行調節是不夠的,所以TSC裝置一般還要與電感相并聯(lián)。再者可控硅在運行導通時(shí),結間還會(huì )產(chǎn)生1V左右的壓降,如果使用的電容器額定電流過(guò)高會(huì )產(chǎn)生較大的功耗,這些功耗都變成熱量使設備溫度升高,同時(shí)可控硅本身還有漏電流存在。

可控硅投切開(kāi)關(guān)補償裝置原理圖
圖1 可控硅投切開(kāi)關(guān)補償裝置原理圖

優(yōu)點(diǎn):無(wú)觸點(diǎn),無(wú)合閘涌流,投切反應速度塊,使用壽命長(cháng),維護方便。
缺點(diǎn):功耗大,發(fā)熱量高,散熱系統復雜,有漏電電流。


希拓電氣晶閘管(可控硅)投切開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢一目了然

可控硅投切開(kāi)關(guān)(分補)

電壓過(guò)零觸發(fā),電流過(guò)零斷開(kāi),無(wú)沖擊電流; 光電隔離,抗干擾能力強,響應時(shí)間<15ms
專(zhuān)利散熱片,無(wú)軸流風(fēng)機,主動(dòng)散熱,運行無(wú)噪聲,組件免維護,使用壽命長(cháng);內置過(guò)溫(85℃)保護;
三色LED信號燈分別顯示開(kāi)關(guān)通電、運行、故障狀態(tài);兼容性強,可與全球各種規格無(wú)功補償控制器配套。

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