電容器柜的熔斷器燒毀的根本原因是電容器切除時(shí)的過(guò)電壓和非精準過(guò)零電路的弧光能量形成的，用可控硅投切時(shí)，需配套快速熔斷器保護可控硅。電路設計不完善的話(huà)，熔斷器會(huì )頻頻燒壞，壞的更多。一般的補償柜，選用一般熔斷器，靈敏度低，除非嚴峻過(guò)載等故障，相對壞的少些。

希拓電氣STT標準型晶閘管投切模塊技術(shù)源自德國，我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎上，研制出了擁有自主知識產(chǎn)權的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護電路，智能型散熱片組成。自主專(zhuān)利技術(shù)保證電壓過(guò)零觸發(fā)，電流過(guò)零斷開(kāi)，真正實(shí)現投切無(wú)涌流，跟隨速度快，有效補償沖擊性負荷，平均響應時(shí)間小于15ms，很好地取代傳統投切裝置。