圖1 可控硅基本伏安特性

（1）反向特性

當控制極開(kāi)路，陽(yáng)極加上反向電壓時(shí)（詳見(jiàn)圖2），J2結正偏，但J1、J2結反偏。此時(shí)只能流過(guò)很小的反向飽和電流，當電壓進(jìn)一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓后，接差J3結也擊穿，電流迅速增加，圖3的特性開(kāi)始彎曲，如特性OR段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉折電壓”。此時(shí)，可控硅會(huì )發(fā)生永久性反向。

（2）正向特性

當控制極開(kāi)路，陽(yáng)極上加上正向電壓時(shí)（見(jiàn)圖3），J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與普通PN結的反向特性相似，也只能流過(guò)很小電流，這叫正向阻斷狀態(tài)，當電壓增加，圖3的特性發(fā)生了彎曲，如特性OA段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓

由于電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓后，J2結發(fā)生雪崩倍增效應，在結區產(chǎn)生大量的電子和空穴，電子時(shí)入N1區，空穴時(shí)入P2區。進(jìn)入N1區的電子與由P1區通過(guò)J1結注入N1區的空穴復合，同樣，進(jìn)入P2區的空穴與由N2區通過(guò)J3結注入P2區的電子復合，雪崩擊穿，進(jìn)入N1區的電子與進(jìn)入P2區的空穴各自不能全部復合掉，這樣，在N1區就有電子積累，在P2區就有空穴積累，結果使P2區的電位升高，N1區的電位下降，J2結變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現所謂負阻特性，見(jiàn)圖3的虛線(xiàn)AB段。

這時(shí)J1、J2、J3三個(gè)結均處于正偏，可控硅便進(jìn)入正向導電狀態(tài)---通態(tài)，此時(shí)，它的特性與普通的PN結正向特性相似，（可見(jiàn)圖2中的BC段）

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