在無(wú)功功率電容補償中，總歸是離不開(kāi)電容投切元件的。至于為何現在更多的人愿意選擇晶閘管（可控硅）投切開(kāi)關(guān)的原因，我們用接觸器來(lái)做個(gè)比較會(huì )更容易理解。

1、接觸器的投切特點(diǎn)

 接觸器投切過(guò)程中，電容器的初始電壓為零，觸點(diǎn)閉合瞬間，絕大多數情況下電網(wǎng)電壓不為零、有事可能處在高峰值，（極少為零），因而產(chǎn)生非常的電流，也就是常說(shuō)的合閘涌流。實(shí)驗表明合閘涌流嚴重時(shí)可達電容器額定電流的50倍。這不僅影響電容器和接觸器的使用壽命，而且對電網(wǎng)造成沖擊，影響其它設備的正常工作。 因此，后來(lái)采用加入限流電阻來(lái)控制合閘涌流即：電容投切專(zhuān)用接觸器。這雖然可以控制涌流在額定電流的20倍以?xún)?，但從長(cháng)期運行情況來(lái)看，其事故率仍然很高，維護費用較高。

2. 晶閘管開(kāi)關(guān)投切特點(diǎn)

 晶閘管投切電容器，是利用了電子開(kāi)關(guān)反應速度快的特點(diǎn)。采用過(guò)零出發(fā)電路，，檢測當施加到可控硅兩端電壓為零時(shí)，發(fā)出觸發(fā)信號，可控硅導通。此時(shí)電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等，因此不會(huì )產(chǎn)生合閘涌流，解決了接觸器合閘涌流的問(wèn)題。

晶閘管開(kāi)關(guān)特點(diǎn)：

1）反應時(shí)間快：10毫秒以?xún)?

2）使能控制：dvdt>5000V/Us無(wú)誤導通

3）導通電壓低：低于8V（常規30V）

4）無(wú)浪涌、無(wú)觸點(diǎn)、使用壽命長(cháng)、免維護

晶閘管開(kāi)關(guān)時(shí)波形圖如下：

 

3. 用可控硅代替交流接觸器
      通過(guò)對兩者的分別介紹我們可以知道，盡管交流接觸器制造技術(shù)和結構不斷地更新?lián)Q代，但主觸點(diǎn)的打弧損壞問(wèn)題仍沒(méi)有得到徹底解決，特別是頻繁開(kāi)停車(chē)的設備，交流接觸器觸點(diǎn)打弧損壞危害極大。為此，利用可控硅新技術(shù)代替這種動(dòng)合動(dòng)斷式的交流接觸器，效果顯著(zhù)。

可控硅在變流技術(shù)上應用極為普遍。用可控硅代替交流接觸器的基本思維方法是利用可控硅單向導電的特性，實(shí)現交流通斷控制。

1. 對主回路而言，這種控制方式是一種軟通斷方式，它可成功地解決觸點(diǎn)打弧問(wèn)題，同時(shí)也消除了噪音問(wèn)題，幾乎可以做到免維護。

2. 對于可控硅的選擇無(wú)特殊要求，一般情況下，額定電流取電動(dòng)機的額定電流的2～3倍，電壓取800V以上即可。為了保護可控硅，可采用RC阻容吸收電路，并聯(lián)在可控硅上，同時(shí)應注意可控硅的散熱問(wèn)題。
      3. 該控制方式，因沒(méi)有采用移相控制技術(shù)，對電網(wǎng)基本上沒(méi)有污染。如果采用移相控制技術(shù)，可實(shí)現設備的軟啟動(dòng)，從而減少對設備和電網(wǎng)的沖擊。

 好啦，對于兩種投切方式的介紹就掉這里了，請根據自身實(shí)際情況選擇更加適合您的開(kāi)關(guān)哦~~但需注意的是，無(wú)論是那種開(kāi)關(guān)，在檢修時(shí)切記將主電源切斷，安全才是第一生產(chǎn)力，請將安全第一放心間。