在400V低壓中，我們常選擇低壓無(wú)功補償柜來(lái)補償無(wú)功，提高功率因數。而電容器、電抗器、控制器和投切開(kāi)關(guān)就是包含在低壓無(wú)功補償柜中的重要元件。這里重點(diǎn)講一下投切開(kāi)關(guān)的選擇問(wèn)題。

     投切開(kāi)關(guān)里包含三類(lèi)：電容器投切接觸器、晶閘管開(kāi)關(guān)、復合開(kāi)關(guān)。

     不同的投切開(kāi)關(guān)他的響應速度是不一樣的。可控硅開(kāi)關(guān)投切速度快，接觸器的響應速度慢。不同的投切開(kāi)關(guān)會(huì )影響電容器的涌流，以可控硅為基礎的投切開(kāi)關(guān)限制涌流在3％以?xún)?，接觸器是20％以?xún)取?br />
     不同投切開(kāi)關(guān)會(huì )導致造價(jià)成本的差異。從價(jià)格角度上來(lái)講接觸器相對便宜，可控硅比較貴，從效果上接觸器是最差的，如果是要對涌流的抑制效果，接觸器是最差的，如果現場(chǎng)負載變化非常大，對無(wú)功的需求變化是非常大，需要無(wú)功補償需求能夠跟得上無(wú)功補償的變化，這時(shí)可控硅是合適的。

     小結：價(jià)格是不一樣，一般來(lái)講接觸器是最便宜，可控硅是最貴；但又希望開(kāi)關(guān)快速投切，所以只要討論無(wú)功補償方案，一定要考慮現場(chǎng)負載情況和應用場(chǎng)景。

     希拓電氣晶閘管投切模塊(單相)技術(shù)源自德國，我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎上，研制出了擁有自主知識產(chǎn)權的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護電路，智能型散熱片組成。自主專(zhuān)利技術(shù)保證電壓過(guò)零觸發(fā)，電流過(guò)零斷開(kāi)，真正實(shí)現投切無(wú)涌流，跟隨速度快，有效補償沖擊性負荷，平均響應時(shí)間小于18ms，很好地取代傳統投切裝置。