隨著(zhù)感性負載和非線(xiàn)性負載的大量增加，電網(wǎng)中的無(wú)功功率大量增加，使得電網(wǎng)效率大大降低。為此，無(wú)功補償設備已經(jīng)作為標準設備配備 到變配電的各個(gè)環(huán)節。在終端用戶(hù)中，使用低壓電容器進(jìn)行無(wú)功補償是最常用的辦法。傳統方法中，低壓電容補償一般由控制器、若干低壓電容器、交流接觸器、電抗器及保護器件在箱、屏內組裝而成，存在著(zhù)電容投切沖擊大、接觸器和電容器損壞較快、接線(xiàn)復雜體積龐大、產(chǎn)品 成型后配置和調整困難等諸多問(wèn)題。為了解決這些問(wèn)題,許多廠(chǎng)家將電力電子技術(shù)應用到低壓電容補償中來(lái)，研發(fā)以復合開(kāi)關(guān)為關(guān)鍵器件的智能低壓電容器,從而使得電容投切沖擊小，接線(xiàn)簡(jiǎn)潔，體積顯著(zhù)減小，積木式配置和調整簡(jiǎn)單，接觸器和電容器壽命延長(cháng)。但是從實(shí)際使用情況看、還存在著(zhù)復合開(kāi)關(guān)容易損壞的問(wèn)題。

復合開(kāi)關(guān)易損原因分析
1、設計選型不合理

       復合投切開(kāi)關(guān)雖然稱(chēng)之為“零壓差投入、零電流投切”零投切的可控硅,工作時(shí)間很短，但所接負載是大容量的低壓電力電容器,且導通瞬間負載處于短路狀態(tài)，受可控硅最低導通電壓限制和過(guò)零檢測偏差的影響，不能實(shí)現理想狀態(tài)下的電壓過(guò)零導通，仍有較大的電流上升率(di/dt)和峰值出現。同時(shí)，系統中的大功率器件的投切也會(huì )產(chǎn)生較大地涌流。按照工程實(shí)踐，電流相關(guān)參數選擇應有一定的安全富余量，但大多數用戶(hù)由于考慮經(jīng)濟原因，在設計復合開(kāi)關(guān)產(chǎn)品中的可控硅很少選用達到較高富余量指標的產(chǎn)品。
2、電壓相關(guān)參數指標達不到要求

       (1)可控硅在導通時(shí)較大的電流上升率(di/dt)的電流中包含豐富的頻率成分,同樣電網(wǎng)中也存在著(zhù)豐富的諧波，某些頻率有可能會(huì )在電路中諧振從而產(chǎn)生較高地過(guò)電壓。
       (2)工作于低壓電力電容器零投切控制的可控硅，在其截止后一段時(shí)間內，所承受的反向峰值電壓為電源電壓最大值和電容器上充電電壓最大值的疊加低壓電力電容器上的充電電壓最大值UCM與可控硅上所承受的反向電壓最大值UZM，分別為:
UCM=1.414x380×(1+20%)≈645(V)
UZM-1414x380×(1+20% )+UCM≈1290(V)
1.414為正弦波系數；20%為電源電壓上波動(dòng)范圍。按最低2倍安全系數計算，可控硅的Uked至少取2500V以上。
目前小容量(100A及以下)的可控硅國內外市場(chǎng)尚無(wú)Uked超過(guò)1600V的產(chǎn)品,而使用大容量的可控硅又對經(jīng)濟指標產(chǎn)生影響，所以很少有廠(chǎng)家采用，造成現有復合開(kāi)關(guān)中的可控硅截止時(shí)處于電壓危險區，很容易擊穿損壞。

希拓 單相晶閘管投切開(kāi)關(guān)

電容常見(jiàn)的投切方式對比
我們的優(yōu)勢您一目了然

接觸器方式投切方式一
優(yōu)點(diǎn)：價(jià)格低、初期成本低
缺點(diǎn)：涌流大（易對電容造成傷害），動(dòng)作時(shí)間長(cháng)，故障高，維修頻繁

復合開(kāi)關(guān)投切方式二
優(yōu)點(diǎn)：無(wú)涌流，不發(fā)熱，造價(jià)經(jīng)濟
缺點(diǎn)：硅片薄，易擊穿燒毀；磁保繼電器有卡主現象

友商晶閘管（可控硅）投切方式三
優(yōu)點(diǎn)：過(guò)零投切，無(wú)涌流，無(wú)觸點(diǎn)，壽命長(cháng)，維修少

希拓電氣 晶閘管（可控硅）投切開(kāi)關(guān)
電壓過(guò)零觸發(fā)，電流過(guò)零斷開(kāi)，無(wú)沖擊電流； 光電隔離，抗干擾能力強，響應時(shí)間＜15ms
專(zhuān)利散熱片，無(wú)軸流風(fēng)機，主動(dòng)散熱，運行無(wú)噪聲，組件免維護，使用壽命長(cháng)；內置過(guò)溫（85℃）保護；
三色LED信號燈分別顯示開(kāi)關(guān)通電、運行、故障狀態(tài)；兼容性強，可與全球各種規格無(wú)功補償控制器配套。