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低壓無(wú)功補償投切電容裝置

來(lái)源:希拓電氣(常州)有限公司    日期:2019-05-30    瀏覽量:載入中...

       正確選用低壓無(wú)功補償電容投切裝置對于保證低壓無(wú)功補償設備的可靠性、經(jīng)濟型及補償效果有著(zhù)十分重要的意義。目前在我國投入使用的低壓無(wú)功補償電容投切裝置主要有以下三種:

       ①接觸器投切電容裝置

       以接觸器為投切開(kāi)關(guān)的低壓電容無(wú)功補償裝置,不宜頻繁進(jìn)行電容器的投切。否則,投切時(shí)所產(chǎn)生的過(guò)電壓和沖擊電流將對自愈式電容器造成危害,使容量下降,以及絕緣老化加速等,最終使電容器早期損壞。

       ②晶閘管投切電容裝置

       ③復合開(kāi)關(guān)投切電容裝置


      電容常見(jiàn)的投切方式對比

      接觸器方式投切方式一
      優(yōu)點(diǎn):價(jià)格低、初期成本低
      缺點(diǎn):涌流大(易對電容造成傷害),動(dòng)作時(shí)間長(cháng),故障高,維修頻繁
      復合開(kāi)關(guān)投切方式二
      優(yōu)點(diǎn):無(wú)涌流,不發(fā)熱,造價(jià)經(jīng)濟
      缺點(diǎn):硅片薄,易擊穿燒毀;磁保繼電器有卡主現象
      友商晶閘管(可控硅)投切方式三
      優(yōu)點(diǎn):過(guò)零投切,無(wú)涌流,無(wú)觸點(diǎn),壽命長(cháng),維修少

三相晶閘管投切模塊

       希拓電氣晶閘管模塊(三相)技術(shù)源自德國,我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎上,研制出了擁有自主知識產(chǎn)權的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管,觸發(fā)電路,吸收電路,保護電路,智能型散熱片組成。自主專(zhuān)利技術(shù)保證電壓過(guò)零觸發(fā),電流過(guò)零斷開(kāi),真正實(shí)現投切無(wú)涌流,跟隨速度快,有效補償沖擊性負荷,平均響應時(shí)間小于18ms,很好地取代傳統投切裝置。


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