隨著(zhù)電力電子技術(shù)的迅速發(fā)展，晶閘管（可控硅開(kāi)關(guān)）開(kāi)始用于SVC裝置中，出現了晶閘管控制電抗器（TCR）和晶閘管投切電容器（TSC）這兩種基本結構式的SVC，以及它們的混合裝置，如TCR+TSC、TCR+FC等。

       使用晶閘管開(kāi)關(guān)對無(wú)功器件（電容器和電抗器）進(jìn)行投切或控制的優(yōu)點(diǎn)是響應速度快，可以頻繁投切。因此使用晶閘管的靜止無(wú)功補償裝置近年來(lái)發(fā)展很快，靜止無(wú)功補償裝置（SVC）這個(gè)詞往往專(zhuān)指使用晶閘管等電力電子開(kāi)關(guān)器件的靜止無(wú)功補償裝置。SVC主要有晶閘管控制電抗器（TCR：Thyristor Control Reactor）、晶閘管開(kāi)關(guān)電容器（TSC：Thyrisor Switch Capacitor）。比SVC更先進(jìn)的無(wú)功補償裝置是靜止無(wú)功發(fā)生器（SVG：Static VarGenerator）。

       晶閘管投切模塊(單相)技術(shù)源自德國，我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎上，研制出了擁有自主知識產(chǎn)權的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護電路，智能型散熱片組成。自主專(zhuān)利技術(shù)保證電壓過(guò)零觸發(fā)，電流過(guò)零斷開(kāi)，真正實(shí)現投切無(wú)涌流，跟隨速度快，有效補償沖擊性負荷，平均響應時(shí)間小于18ms，很好地取代傳統投切裝置。