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0519-85112622TSC型無(wú)功補償技術(shù)
電容柜
一般TSC型電容補償裝置都是由若干電容補償單元組成,因此可以組合成不同補償容量,滿(mǎn)足系統無(wú)功變化。
希拓電氣可控硅投切開(kāi)關(guān)(共補)技術(shù)源自德國,我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎上,研制出了擁有自主知識產(chǎn)權的新一代可控硅投切開(kāi)關(guān)。開(kāi)關(guān)主要由雙向可控硅,觸發(fā)電路,吸收電路,保護電路,智能型散熱片組成。自主專(zhuān)利技術(shù)保證電壓過(guò)零觸發(fā),電流過(guò)零斷開(kāi),真正實(shí)現投切無(wú)涌流,跟隨速度快,有效補償沖擊性負荷,平均響應時(shí)間小于18ms,很好地取代傳統投切裝置。