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可控硅電容器投切原理

來(lái)源:希拓電氣(常州)有限公司    日期:2019-04-18    瀏覽量:載入中...

TSC補償原理和并聯(lián)電容器補償的原理是一樣的,只是把電容器分成多組,根據負荷的實(shí)際大小確定投入補償電容器組的數量。

TSC的補償曲線(xiàn)圖

晶閘管投切電容器(TSC)優(yōu)缺點(diǎn)
優(yōu)點(diǎn):
1、控制簡(jiǎn)單
2、在負荷周期性較強的場(chǎng)合比較適用

缺點(diǎn):
1、不能提供連續無(wú)功功率
2、不具備濾波能力
3、不具備治理閃變及抑制電壓波動(dòng)的能力
4、存在使用系統諧振的風(fēng)險
5、存在軟啟動(dòng)設備的現場(chǎng)使用受限

晶閘管投切模塊(三相)

希拓電氣晶閘管模塊(三相)技術(shù)源自德國,我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎上,研制出了擁有自主知識產(chǎn)權的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管,觸發(fā)電路,吸收電路,保護電路,智能型散熱片組成。自主專(zhuān)利技術(shù)保證電壓過(guò)零觸發(fā),電流過(guò)零斷開(kāi),真正實(shí)現投切無(wú)涌流,跟隨速度快,有效補償沖擊性負荷,平均響應時(shí)間小于18ms,很好地取代傳統投切裝置。


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